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电荷稳定了TaON中的氧抗位点缺陷，认证以及Ta3N5中的氧杂质缺陷，这与这些材料倾向于进行氧化分解，重整形成氧化物如Ta2O5相一致。此外，信息在典型的光催化操作条件下，TaON中的ON位点缺陷具有较低的形成能。

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赛普设（d）瞬态电流响应特性曲线和相应的偏压变化曲线。产品持续（e）不同材料体系能量密度和功率密度对比图。